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TK62N60W5,S1VF(S
1个N沟道 耐压:600V 电流:61.8A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK62N60W5,S1VF(S
- 商品编号
- C396022
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@3.1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 205nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 快速反向恢复时间：trr = 170 ns（典型值）
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.036 Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 3至4.5 V（VDS = 10 V，ID = 3.1 mA）
应用领域
- 开关稳压器
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