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TK39N60W5,S1VF(S
1个N沟道 耐压:600V 电流:38.8A
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- 描述
- 特性：快速反向恢复时间：trr = 150 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.062Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1.9mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK39N60W5,S1VF(S
- 商品编号
- C396023
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.9mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 快速反向恢复时间：trr = 150 ns（典型值）
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.062 Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 3至4.5 V（VDS = 10 V，ID = 1.9 mA）
应用领域
- 开关稳压器
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