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2SK3565(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:900V 电流:5A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（VDS = 720V）。 增强模式：Vth = 2.0-4.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3565(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C396031
- 商品封装
- SC-67
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏（PDP）的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的工艺技术，实现了单位硅面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为PDP驱动应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 针对PDP维持、能量回收和通路开关应用优化关键参数
- 低脉冲能量额定值，可降低PDP维持、能量回收和通路开关应用中的功耗
- 低栅极电荷，响应速度快
- 高重复峰值电流能力，确保可靠运行
- 短下降和上升时间，实现快速开关
- 175°C工作结温，提高耐用性
- 重复雪崩能力，保证坚固性和可靠性