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TK11A65W,S5X(M
1个N沟道 耐压:650V 电流:11.1A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.45mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK11A65W,S5X(M
- 商品编号
- C396036
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.33 Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：Vth = 2.5至3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.45 mA）
应用领域
- 开关稳压器