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TK100E08N1,S1X(S
1个N沟道 耐压:80V 电流:214A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK100E08N1,S1X(S
- 商品编号
- C396033
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 214A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.1nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
- 低漏电流：ΔlDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)
- 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (ΔVDS = 10 V, ID = 1.0 mA)
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