TPHR6503PL,L1Q(M
1个N沟道 耐压:30V 电流:393A
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- 描述
- 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 30 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 81.3 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.41 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPHR6503PL,L1Q(M
- 商品编号
- C396032
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 393A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.89mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.72nF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个5000个/圆盘
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