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SSM3J35CT,L3F
1个P沟道 耐压:20V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：高速开关应用。 模拟开关应用。 1.2V 驱动低导通电阻：Rₒₙ = 44Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.2V）。Rₒₙ = 22Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.5V）。Rₒₙ = 11Ω（最大值）（V₍GS₎ = -2.5V）。Rₒₙ = 8Ω（最大值）（V₍GS₎ = -4.0V）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J35CT,L3F
- 商品编号
- C396019
- 商品封装
- CST-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 12.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10.4pF |
商品特性
- 1.2 V驱动
- 低导通电阻：Ron = 44 Ω（最大值）（@VGS = -1.2 V）
- Ron = 22 Ω（最大值）（@VGS = -1.5 V）
- Ron = 11 Ω（最大值）（@VGS = -2.5 V）
- Ron = 8 Ω（最大值）（@VGS = -4.0 V）
- 重量：0.75 mg（典型值）
应用领域
- 高速开关应用-模拟开关应用
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