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L2N7002SDW1T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

L2N7002SDW1T1G

1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA

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描述
特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。ESD保护。低导通电阻(RDS(on))。应用:低端负载开关。电平转换电路
商品型号
L2N7002SDW1T1G
商品编号
C383163
商品封装
SC-88​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on))3.2Ω@4.5V
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)440pC@4.5V
输入电容(Ciss)35pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)10pF

商品特性

  • 我们声明,产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
  • S 前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用;符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
  • 具备静电放电(ESD)保护
  • 低导通电阻 RDS(on)

应用领域

  • 低端负载开关
  • 电平转换电路
  • 直流 - 直流转换器
  • 便携式应用,如数码相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等。

数据手册PDF