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L2N7002KN3T5G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

L2N7002KN3T5G

1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA

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描述
特性:ESD 保护。 低 RDS(on)。 表面贴装封装。 这是无铅器件。 产品材料为无卤材料,符合 RoHS 要求。应用:低端负载开关。 电平转换电路
商品型号
L2N7002KN3T5G
商品编号
C383162
商品封装
SOT-883-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.005克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on))1.8Ω@10V
耗散功率(Pd)250mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)700pC@10V
输入电容(Ciss)32.8pF
反向传输电容(Crss)2.9pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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(10000个/圆盘,最小起订量 20 个)
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