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NP3400MR-S-G
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- NP3400MR - S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP3400MR-S-G
- 商品编号
- C2991122
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 473pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
NP3415EMR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20 V，ID = -4 A
- RDS(ON)(典型值) = 34 mΩ（VGS = -4.5V时）
- RDS(ON)(典型值) = 44 mΩ（VGS = -2.5V时）
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
- ESD等级：2500V HBM
应用领域
- PWM应用
- 负载开关