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NP3401MR-G
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- NP3401MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP3401MR-G
- 商品编号
- C2991123
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@Vgs=4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
NP4446SR采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合，导通和开关损耗降至最低。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 15 A
- RDS(ON)（典型值）= 6.8 mΩ，VGS = 10 V
- RDS(ON)（典型值）= 9.0 mΩ，VGS = 4.5 V
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器
- 网络DC-DC电源系统
- 负载开关