CY62256L-70NXCT
CY62256L-70NXCT
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- 商品型号
- CY62256L-70NXCT
- 商品编号
- C2956456
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 50uA |
商品概述
CY62256是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为32K字×8位。通过低电平有效的片选信号(CE)、低电平有效的输出使能信号(OE)和三态驱动器,可轻松实现内存扩展。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低99.9%。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,8个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上的地址所指定的存储位置。读取器件时,选中器件并使输出使能,CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚上的信息所指定位置的内容将出现在8个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。
商品特性
- 温度范围:商用级0℃至70℃;工业级 -40℃至85℃;汽车级 -40℃至125℃
- 高速:55 ns和70 ns
- 电压范围:4.5V - 5.5V工作
- 低有源功率(70 ns,LL版本,商用和工业级) - 最大275 mW
- 低待机功率(70 ns,LL版本,商用和工业级) - 最大28 μW
- 通过CE和OE功能轻松实现内存扩展
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术实现最佳速度/功率比
- 提供标准450密耳宽(300密耳主体宽度)28引脚窄型SOIC、28引脚TSOP - 1、28引脚反向TSOP - 1和600密耳28引脚PDIP封装
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