CY62167DV30LL-70BVXI

CY62167DV30 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，组织为 1M 字 × 16 位。该器件采用先进电路设计，提供超低有功电流。这非常适合为便携式应用（如蜂窝电话）提供更长的电池寿命。该器件还具有自动断电功能，当地址不切换时，功耗显著降低 99%。当取消选择（CE1 高或 CE2 低或 BHE 和 BLE 均为高）时，器件也可进入待机模式。输入/输出引脚（I/O0 至 I/O15）在以下情况下置于高阻抗状态：取消选择（CE1 高或 CE2 低）、输出禁用（OE 高）、字节高使能和字节低使能均禁用（BHE、BLE 高），或写入操作期间（CE1 低、CE2 高且 WE 低）。写入器件通过使能芯片使能（CE1 低且 CE2 高）和写使能（WE）输入低来实现。如果字节低使能（BLE）为低，则来自 I/O 引脚（I/O0 至 I/O7）的数据写入地址引脚（A0 至 A19）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低，则来自 I/O 引脚（I/O8 至 I/O15）的数据写入地址引脚（A0 至 A19）指定的位置。从器件读取通过使能芯片使能（CE1 低且 CE2 高）和输出使能（OE）低，同时强制写使能（WE）高来实现。如果字节低使能（BLE）为低，则地址引脚指定的存储器位置的数据将出现在 I/O0 至 I/O7 上。如果字节高使能（BHE）为低，则存储器数据将出现在 I/O8 至 I/O15 上。

• TSOP I 可配置为 1M × 16 或 2M × 8 SRAM
• 非常高的速度：45 ns
• 宽电压范围：2.2V 至 3.6V
• 超低有功功率，典型有功电流：2mA @ f = 1MHz，典型有功电流：18.5mA @ f = fMax (45 ns 速度)
• 超低待机功率
• 易于内存扩展，具有 CE1、CE2 和 OE 特性，取消选择时自动断电
• 提供无铅和非无铅 48-ball VFBGA 和 48-pin TSOP I 封装

• 移动电话