立创商城logo
购物车0
预售商品
CY62167DV20LL-5BVI实物图
  • CY62167DV20LL-5BVI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62167DV20LL-5BVI

CY62167DV20LL-5BVI

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
CY62167DV20LL-5BVI
商品编号
C2956482
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量16Mbit
工作电压1.65V~2.2V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流35mA
待机电流2.5uA

商品概述

CY62167DV20是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为1024K字×16位。该器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低99%。当片选使能1(CE1上划线)为高电平、片选使能2(CE2)为低电平,或字节高位使能(BHE)和字节低位使能(BLE)均为高电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。当出现以下情况时,输入/输出引脚(I/O0至I/O15)处于高阻态:片选使能1(CE1上划线)为高电平、片选使能2(CE2)为低电平、输出使能(OE)为高电平、字节高位使能和字节低位使能均禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(片选使能1(CE1上划线)为低电平、片选使能2(CE2)为高电平且写使能(WE)为低电平)。向器件写入数据时,需将片选使能1(CE1上划线)置为低电平、片选使能2(CE2)置为高电平,写使能(WE)输入置为低电平。读取器件数据时,需将片选使能1(CE1上划线)置为低电平、片选使能2(CE2)置为高电平、输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。

商品特性

  • 超高速:55 ns和70 ns
  • 宽电压范围:1.65V至2.2V
  • 超低工作功耗
    • 典型工作电流:当f = 1 MHz时为1.5 mA
    • 典型工作电流:当f = fMAX时为18 mA
  • 超低待机功耗
  • 通过CE1、CE2和OE功能实现轻松的内存扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
  • 提供48球FBGA封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 移动电话

数据手册PDF