CY62157EV30LL-55SXE

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计，提供超低工作电流。这非常适合在便携式应用（如蜂窝电话）中提供更长的电池寿命（MoBL）。该器件还具有自动断电功能，当地址不切换时显著降低功耗。当取消选择时（CE1为高或CE2为低或BHE和BLE均为高），将器件置于待机模式。当器件取消选择时（CE1为高或CE2为低）、输出禁用（OE为高）、字节高使能和字节低使能禁用（BHE、BLE为高）或写操作激活时（CE1为低、CE2为高且WE为低），输入或输出引脚（I/O0至I/O15）置于高阻抗状态。要写入器件，将芯片使能（CE1为低且CE2为高）和写使能（WE）输入置低。如果字节低使能（BLE）为低，则来自I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据写入地址引脚（A0至A18）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低，则来自I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据写入地址引脚（A0至A18）指定的位置。要从器件读取，将芯片使能（CE1为低且CE2为高）和输出使能（OE）置低，同时强制写使能（WE）为高。如果字节低使能（BLE）为低，则地址引脚指定的存储器位置的数据出现在I/O0至I/O7上。如果字节高使能（BHE）为低，则存储器数据出现在I/O8至I/O15上。

• 薄型小外形封装（TSOP）I，可配置为512K × 16或1M × 8静态RAM（SRAM）
• 高速：45 ns
• 温度范围：工业级：-40°C 至 +85°C；汽车-A级：-40°C 至 +85°C；汽车-E级：-40°C 至 +125°C
• 宽电压范围：2.20V 至 3.60V
• 引脚兼容CY62157DV30
• 超低待机功耗：典型待机电流：2μA；最大待机电流：8μA（工业级）
• 超低工作功耗：典型工作电流：1.8mA，频率为1MHz时
• 易于内存扩展，具有CE1、CE2和OE功能
• 取消选择时自动断电
• 互补金属氧化物半导体（CMOS），用于速度和功耗
• 提供无铅和非无铅48球超细间距球栅阵列（VFBGA）、无铅44引脚薄型小外形封装（TSOP）II和48引脚TSOP I封装