CY62157EV30LL-55SXE

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可显著降低功耗。当器件被取消选择（CE1上划线为高电平或CE2为低电平，或BHE上划线和BLE上划线均为高电平）时，将其置于待机模式。当器件被取消选择（CE1上划线为高电平或CE2为低电平）、输出被禁用（OE上划线为高电平）、字节高位使能和字节低位使能被禁用（BHE上划线、BLE上划线为高电平）或写操作激活（CE1上划线为低电平、CE2为高电平且WE上划线为低电平）时，输入或输出引脚（I/O0至I/O15）处于高阻状态。要向器件写入数据，需将片选使能（CE1上划线为低电平且CE2为高电平）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则将I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据写入地址引脚（A0至A18）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则将I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据写入地址引脚（A0至A18）指定的位置。要从器件读取数据，需将片选使能（CE1上划线为低电平且CE2为高电平）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O0至I/O7上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O8至I/O15上。有关读写模式的完整描述，请参阅第13页的真值表。

• 薄型小外形封装（TSOP）I，可配置为512K×16或1M×8静态随机存取存储器（SRAM）
• 高速：45 ns
• 温度范围：工业级：-40°C至+85°C；汽车级A：-40°C至+85°C；汽车级E：-40°C至+125°C
• 宽电压范围：2.20V至3.60V
• 引脚与CY62157DV30兼容
• 超低待机功耗
• 典型待机电流：2μA
• 最大待机电流：8μA（工业级）
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：在f = 1MHz时为1.8mA
• 通过CE1上划线、CE2和OE上划线功能实现轻松的内存扩展
• 取消选择时自动掉电
• 采用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，实现最佳速度和功耗
• 提供无铅和含铅的48球超精细间距球栅阵列（VFBGA）、无铅44引脚薄型小外形封装（TSOP）II和48引脚TSOP I封装