CY62157DV20L-70BVXI

CY62157DV20是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低99%。当片选使能1（CE1上划线）为高电平、片选使能2（CE2）为低电平，或者BHE上划线和BLE上划线均为高电平时，器件可进入待机模式。当片选使能1（CE1上划线）为高电平、片选使能2（CE2）为低电平、输出使能（OE）为高电平、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（片选使能1（CE1上划线）为低电平、片选使能2（CE2）为高电平且写使能（WE）为低电平），输入/输出引脚（I/O0至I/O15）处于高阻态。向器件写入数据时，需将片选使能1（CE1上划线）置为低电平、片选使能2（CE2）置为高电平且写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据将被写入地址引脚（A0至A18）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据将被写入地址引脚（A0至A18）指定的位置。从器件读取数据时，需将片选使能1（CE1上划线）置为低电平、片选使能2（CE2）置为高电平、输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O0至I/O7上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O8至I/O15上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。

• 超高速：55 ns
• 宽电压范围：1.65V至2.2V
• 引脚与CY62157CV18兼容
• 超低工作功耗
  • 典型工作电流：在f = 1 MHz时为1 mA
  • 典型工作电流：在f = fmax时为10 mA
• 超低待机功耗
• 借助CE1上划线、CE2和OE上划线功能轻松进行内存扩展 未选中时自动掉电
• 采用CMOS工艺，实现最佳速度/功耗比
• 提供48球FBGA封装

• 便携式应用
• 手机