CY62148DV30LL-70BVXI
CY62148DV30LL-70BVXI
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- 商品型号
- CY62148DV30LL-70BVXI
- 商品编号
- C2956552
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 10mA | |
| 待机电流 | 8uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
该器件是一款高性能互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器,组织为512K字×8位。它采用先进电路设计以提供超低工作电流,这使其非常适合在便携式应用中延长电池寿命。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当器件被取消选择时,可进入待机模式以降低功耗。写入操作通过将芯片使能和写使能输入置为低电平来完成。读取操作通过将芯片使能和输出使能置为低电平,同时将写使能强制为高电平来完成。当器件被取消选择、输出被禁用或处于写入操作期间时,其八个输入/输出引脚将处于高阻抗状态。
商品特性
- 非常高的速度:55纳秒
- 宽电压范围:2.20伏至3.60伏
- 与CY62148CV25、CY62148CV30和CY62148CV33引脚兼容
- 超低工作功耗,典型工作电流为1.5毫安(在频率为1兆赫兹时),典型工作电流为8毫安(在最大频率,即55纳秒速度时)
- 超低待机功耗
- 通过芯片使能和输出使能特性易于存储器扩展
- 取消选择时自动掉电
- 采用互补金属氧化物半导体技术以实现优化的速度与功耗比
- 提供的封装:36球栅格阵列、32引脚薄型小尺寸封装II和32引脚小外形集成电路
应用领域
- 移动电话
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