CY62147VLL-70ZIT
CY62147VLL-70ZIT
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- 商品型号
- CY62147VLL-70ZIT
- 商品编号
- C2956573
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 15mA | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62147V是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织为256K字×16位。这些器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中提供更长的电池续航时间。器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低99%。当器件被取消选择(CE为高电平),或者CE为低电平且BLE和BHE均为高电平时,器件可进入待机模式。当器件被取消选择(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)处于高阻态。向器件写入数据时,将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。如果低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。如果高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。从器件读取数据时,将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。如果低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果高字节使能(BHE)为低电平,则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述,请参阅本数据手册后面的真值表。
商品特性
- 宽电压范围:2.7V至3.6V
- 超低工作电流和待机电流
- 通过片选和输出使能功能易于存储器扩展
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS工艺以实现的速度与功耗平衡
- 封装采用标准44引脚TSOP II型(正向引脚排列)封装
应用领域
- 便携式应用
- 手机
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