立创商城logo
购物车0
CY62147VLL-70ZIT引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62147VLL-70ZIT

CY62147VLL-70ZIT

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
CY62147VLL-70ZIT
商品编号
C2956573
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.7V~3.6V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流15mA
待机电流20uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62147V是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织为256K字×16位。这些器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中提供更长的电池续航时间。器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低99%。当器件被取消选择(CE为高电平),或者CE为低电平且BLE和BHE均为高电平时,器件可进入待机模式。当器件被取消选择(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)处于高阻态。向器件写入数据时,将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。如果低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。如果高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。从器件读取数据时,将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。如果低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果高字节使能(BHE)为低电平,则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述,请参阅本数据手册后面的真值表。

商品特性

  • 宽电压范围:2.7V至3.6V
  • 超低工作电流和待机电流
  • 通过片选和输出使能功能易于存储器扩展
  • TTL兼容输入和输出
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS工艺以实现的速度与功耗平衡
  • 封装采用标准44引脚TSOP II型(正向引脚排列)封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 手机

数据手册PDF