CY62147DV30LL-70ZSXI

CY62147DV30是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为256K字×16位。该器件采用先进电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未被选中时（CE为高电平，或BLE和BHE均为高电平），器件可进入待机模式，功耗降低超过99%。当未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。向器件写入数据时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。若字节高位使能（BHE）为低电平，则I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。CY62147DV30有48球VFBGA和44引脚TSOPII封装可供选择。

• 温度范围：工业级：-40°C 至 +85°C；汽车级：-40°C 至 +125°C
• 非常高的速度：45 ns
• 宽电压范围：2.20V 至 3.60V
• 引脚兼容 CY62147CV25、CY62147CV30 和 CY62147CV33
• 超低有功功率：典型有功电流为 1.5 mA @ f = 1 MHz，典型有功电流为 8 mA @ f = fmax
• 超低待机功率
• 易于存储器扩展，具有 CE 和 OE 功能；取消选择时自动断电
• CMOS 实现速度/功率比
• 封装：48-ball BGA 和 44-pin TSOPII；提供无铅封装
• 字节断电功能

• 移动电话
• 便携式应用