CY62147CV30LL-70BVIT

CY62147CV25/30/33是高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。这些器件采用先进电路设计，提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中延长电池续航时间。器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可显著降低功耗80%。当未选中（CE为高电平，或BLE和BHE均为高电平）时，器件可进入待机模式，功耗降低超过99%。输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）在以下情况下处于高阻态：未选中（CE为高电平）、输出禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均禁用（BHE、BLE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）。写入器件时，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。读取器件时，将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。CY62147CV25/30/33采用48球FBGA封装。

• 高速
• 55 ns 和 70 ns 可用性
• 电压范围：CY62147CV25: 2.2V-2.7V；CY62147CV30: 2.7V-3.3V；CY62147CV33: 3.0V-3.6V
• 引脚兼容 CY62147V
• 超低有功功率
• 典型有功电流：1.5 mA @ f = 1 MHz
• 典型有功电流：5.5 mA @ f = fmax(70 ns 速度)
• 低待机功率
• 通过 CE 和 OE 功能轻松扩展内存
• 取消选择时自动断电

• 便携式应用
• 移动电话