CY62147BV18LL-70BAI

CY62147BV18是一款高性能CMOS静态RAM，组织为262,144字×16位。这些器件采用先进电路设计，提供超低工作电流。器件还具有自动断电功能，当地址不切换时，功耗显著降低99%。当取消选中（CE为高）或CE为低且BLE和BHE均为高时，器件也可进入待机模式。输入/输出引脚（I/O0至I/O15）在以下情况下置于高阻态：取消选中（CE为高）、输出禁用（OE为高）、BHE和BLE禁用（BHE、BLE为高），或写入操作期间（CE为低，WE为低）。写入器件通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置低来实现。如果字节低使能（BLE）为低，则来自I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据写入到地址引脚（A0至A17）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低，则来自I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据写入到地址引脚（A0至A17）指定的位置。从器件读取通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置低，同时强制写使能（WE）为高来实现。如果字节低使能（BLE）为低，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O0至I/O7上。如果字节高使能（BHE）为低，则存储器的数据将出现在I/O8至I/O15上。CY62147BV18采用48球FBGA封装。

• 低电压范围：CY62147BV18：1.65V至1.95V
• 超低工作电流和待机功耗
• 通过CE和OE功能轻松扩展存储器
• TTL兼容输入和输出
• 取消选中时自动断电

• 移动电话