CY62138CV30LL-55BVIT
CY62138CV30LL-55BVIT
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- 商品型号
- CY62138CV30LL-55BVIT
- 商品编号
- C2956646
- 商品封装
- VFBGA-36
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 55ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 3mA | |
| 待机电流 | 2uA |
商品概述
CY62138CV25/30/33和CY62138CV是高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为256K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可显著降低80%的功耗。当器件被取消选择(CE₁为高电平或CE₂为低电平)时,可进入待机模式,功耗降低超过99%。向器件写入数据时,将片选1(CE₁上划线)和写使能(WE)输入置为低电平,片选2(CE₂)置为高电平,然后将8个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。从器件读取数据时,将片选1(CE₁上划线)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)和片选2(CE₂)置为高电平,此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件被取消选择(CE₁为高电平或CE₂为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或进行写操作(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。
商品特性
- 超高速:55 ns和70 ns
- 电压范围:
- CY62138CV25:2.2V - 2.7V
- CY62138CV30:2.7V - 3.3V
- CY62138CV33:3.0V - 3.6V
- CY62138CV:2.7V - 3.6V
- 与CY62138V引脚兼容
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:在f = 1 MHz时为1.5 mA
- 典型工作电流:在f = fmax(70 ns速度)时为5.5 mA
- 低待机功耗
- 借助CE₁上划线、CE₂和OE上划线功能轻松进行内存扩展
- 取消选择时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
- 提供36球FBGA封装
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