CY62138CV30LL-55BVIT
CY62138CV30LL-55BVIT
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- 商品型号
- CY62138CV30LL-55BVIT
- 商品编号
- C2956646
- 商品封装
- VFBGA-36
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.3V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 3mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62138CV25/30/33和CY62138CV是高性能CMOS静态RAM,组织为256K字乘以8位。该器件采用先进的电路设计,提供超低有功电流。这非常适合在便携式应用中提供更长电池寿命。该器件还具有自动断电功能,当地址不切换时,功耗显著降低百分之八十。当取消选择时,器件可进入待机模式,功耗降低超过百分之九十九。写入器件通过将芯片使能1和写使能输入置低,芯片使能2置高来完成。然后,八个输入输出引脚上的数据写入地址引脚指定的位置。从器件读取通过将芯片使能1和输出使能置低,同时强制写使能和芯片使能2置高来完成。在这些条件下,地址引脚指定的存储位置的内容将出现在输入输出引脚上。当器件取消选择、输出禁用或写入操作期间,八个输入输出引脚置于高阻抗状态。有关读写模式的完整描述,请参见数据手册背面的真值表。
商品特性
- 高速:55纳秒和70纳秒
- 电压范围:CY62138CV25为2.2伏至2.7伏,CY62138CV30为2.7伏至3.3伏,CY62138CV33为3.0伏至3.6伏,CY62138CV为2.7伏至3.6伏
- 引脚兼容CY62138V
- 超低有功功率:典型有功电流为1.5毫安在频率等于1兆赫兹时,典型有功电流为5.5毫安在频率等于最大频率时
- 低待机功率
- 易于存储器扩展,具有芯片使能1、芯片使能2和输出使能功能
- 取消选择时自动断电
- 提供36球FBGA封装
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