CY62137CV25LL-55BVI

CY62137CV25/30/33 和 CY62137CV 是高性能 CMOS 静态随机存储器，组织形式为 128K 字 x 16 位。这些器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中延长电池续航时间。器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低 80%。当器件被禁用（CE 为高电平，或 BLE 和 BHE 均为高电平）时，可进入待机模式，功耗降低超过 99%。当器件被禁用（CE 为高电平）、输出被禁用（OE 为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE 为高电平）或进行写操作（CE 为低电平且 WE 为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀ 至 I/O₁₅）处于高阻状态。向器件写入数据时，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则将 I/O 引脚（I/O₀ 至 I/O₇）的数据写入地址引脚（A₀ 至 A₁₆）指定的位置；若字节高位使能（BHE）为低电平，则将 I/O 引脚（I/O₈ 至 I/O₁₅）的数据写入地址引脚（A₀ 至 A₁₆）指定的位置。从器件读取数据时，将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在 I/O₀ 至 I/O₇ 上；若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在 I/O₈ 至 I/O₁₅ 上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。

• 超高速：55 ns 和 70 ns
• 温度范围：工业级：-40°C 至 +85°C；汽车级：-40°C 至 +125°C
• 与 CY62137V 引脚兼容
• 超低工作功耗：典型工作电流：1.5 mA（f = 1 MHz）；典型工作电流：5.5 mA（f = fmax，70 ns 速度）
• 低和超低待机功耗
• 通过 CE 和 OE 功能轻松进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用 CMOS 技术以实现最佳速度/功耗比
• 提供无铅和含铅 48 球 FBGA 封装

• 便携式应用
• 手机