CY62128V系列由三个高性能CMOS静态随机存取存储器组成，组织形式为131,072字×8位。通过低电平有效芯片使能（CE）、低电平有效输出使能（OE）和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。这些器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低99%以上。CY62128V系列采用标准450密耳宽的SOIC、TSOP和STSOP封装。向器件写入数据时，将芯片使能一（CE1上划线）和写使能（WE上划线）输入置为低电平，芯片使能二（CE2）输入置为高电平，然后将8个I/O引脚（I/O0至I/O7）上的数据写入地址引脚（A0至A16）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能一（CE1上划线）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）和芯片使能二（CE2）置为高电平，此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中（CE1为高电平或CE2为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）或进行写操作（CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平）时，8个输入/输出引脚（I/O0至I/O7）处于高阻态。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1Mbit
	工作电压	1.6V~3.6V
	读写时间	70ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	40mA
	待机电流	15uA
	功能特性	自动掉电功能

CY62128VLL-70ZAIT

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