CY62128VLL-70ZAIT

CY62128V系列由三个高性能CMOS静态随机存取存储器组成，组织形式为131,072字×8位。通过低电平有效芯片使能（CE）、低电平有效输出使能（OE）和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。这些器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低99%以上。CY62128V系列采用标准450密耳宽的SOIC、TSOP和STSOP封装。向器件写入数据时，将芯片使能一（CE1上划线）和写使能（WE上划线）输入置为低电平，芯片使能二（CE2）输入置为高电平，然后将8个I/O引脚（I/O0至I/O7）上的数据写入地址引脚（A0至A16）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能一（CE1上划线）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）和芯片使能二（CE2）置为高电平，此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中（CE1为高电平或CE2为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）或进行写操作（CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平）时，8个输入/输出引脚（I/O0至I/O7）处于高阻态。

• 低电压范围：
  • 2.7V - 3.6V（CY62128V）
  • 2.3V - 2.7V（CY62128V25）
  • 1.6V - 2.0V（CY62128V18）
• 低工作功率和待机功率
• 借助CE和OE功能轻松进行内存扩展
• TTL兼容输入和输出
• 未选中时自动掉电
• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功率比