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CY62128DV30LL-55ZAXIT实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62128DV30LL-55ZAXIT

CY62128DV30LL-55ZAXIT

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商品型号
CY62128DV30LL-55ZAXIT
商品编号
C2956717
商品封装
TFSOP-32​
包装方式
管装
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压2.2V~3.6V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流10mA
待机电流1.5uA

商品概述

CY62128DV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低90%。当片选使能1(CE1上划线)为高电平或片选使能2(CE2)为低电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。当片选使能1(CE1上划线)为高电平或片选使能2(CE2)为低电平、输出禁用(OE为高电平)或进行写操作(片选使能1(CE1上划线)为低电平、片选使能2(CE2)为高电平且写使能(WE)为低电平)时,输入/输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻状态。向器件写入数据时,需将片选使能1(CE1上划线)置为低电平、片选使能2(CE2)置为高电平且写使能(WE)置为低电平,此时8个I/O引脚上的数据将被写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从器件读取数据时,需将片选使能1(CE1上划线)置为低电平、片选使能2(CE2)置为高电平、输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平,在此条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。

商品特性

  • 超高速:55和70 ns
  • 宽电压范围:2.2V至3.6V
  • 引脚与CY62128V兼容
  • 超低工作功耗 典型工作电流:在f = 1 MHz时为0.85 mA 典型工作电流:在f = fMAX时为5 mA
  • 超低待机功耗
  • 通过CE1上划线、CE2和OE上划线功能实现轻松的内存扩展 未选中时自动掉电
  • 提供无铅和含铅的32引脚SOIC、32引脚TSOP和32引脚小型TSOP封装,以及含铅的32引脚反向TSOP封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 手机

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