CY62128BNLL-55ZXIT

CY62128BN是一款高性能CMOS静态RAM，组织形式为128K字×8位。它通过一个低电平有效片选信号(CE1上划线)、一个高电平有效片选信号(CE2)、一个低电平有效输出使能信号(OE)和三态驱动器实现轻松的内存扩展。该器件具有自动掉电功能，当未被选中时，可将功耗降低75%以上。向器件写入数据时，将片选信号一(CE1上划线)和写使能信号(WE)置为低电平，片选信号二(CE2)置为高电平，然后将8个I/O引脚(I/O0至I/O7)上的数据写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从器件读取数据时，将片选信号一(CE1上划线)和输出使能信号(OE)置为低电平，同时将写使能信号(WE)和片选信号二(CE2)置为高电平，此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或进行写操作(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平)时，8个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻态。

• 温度范围
• 商用：0°C至70°C
• 工业用：-40°C至85°C
• 汽车A类：-40°C至85°C
• 汽车E类：-40°C至125°C
• 4.5V - 5.5V工作电压
• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
• 低工作功耗（商用、工业用、汽车A类为70 ns）
• 82.5 mW（最大值）（15 mA）
• 低待机功耗（55/70 ns商用、工业用、汽车A类）
• 110 μW（最大值）（15 μA）
• 未选中时自动掉电
• TTL兼容输入和输出
• 可通过CE1上划线、CE2和OE上划线选项轻松进行内存扩展
• 提供无铅和含铅的32引脚（450密耳宽）SOIC、32引脚STSOP和32引脚TSOP - I封装