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CY621282BNLL-70SXEKJ实物图
  • CY621282BNLL-70SXEKJ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY621282BNLL-70SXEKJ

CY621282BNLL-70SXEKJ

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商品型号
CY621282BNLL-70SXEKJ
商品编号
C2956755
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压4.5V~5.5V
属性参数值
读写时间70ns
工作温度-40℃~+125℃
工作电流25mA
待机电流25uA

商品概述

CY621282BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为128K字×8位。通过低电平有效片选信号(CE1(上划线))、高电平有效片选信号(CE2)和低电平有效输出使能信号(OE),可轻松实现存储器扩展。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低超过75%。向器件写入数据时,将片选信号一(CE1(上划线))和写使能信号(WE)置为低电平,片选信号二(CE2)置为高电平,此时8个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据将被写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从器件读取数据时,将片选信号一(CE1(上划线))和输出使能信号(OE)置为低电平,写使能信号(WE)和片选信号二(CE2)置为高电平,在这些条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE1为高电平)或进行写操作(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻态。

商品特性

  • 温度范围:汽车级E:-40°C至125°C
  • 4.5V至5.5V工作电压
  • 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现最佳速度/功耗比
  • 低工作功耗137.5mW(最大值)(25mA)
  • 低待机功耗137.5μW(最大值)(25μA)
  • 未选中时自动掉电
  • TTL兼容输入和输出
  • 通过CE1(上划线)、CE2和OE(上划线)选项轻松实现存储器扩展
  • 采用无铅32引脚(450密耳宽)小外形集成电路(SOIC)封装

数据手册PDF