CY621282BNLL-70SXEKJ
CY621282BNLL-70SXEKJ
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- 商品型号
- CY621282BNLL-70SXEKJ
- 商品编号
- C2956755
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 25mA | |
| 待机电流 | 25uA |
商品概述
CY621282BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为128K字×8位。通过低电平有效片选信号(CE1(上划线))、高电平有效片选信号(CE2)和低电平有效输出使能信号(OE),可轻松实现存储器扩展。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低超过75%。向器件写入数据时,将片选信号一(CE1(上划线))和写使能信号(WE)置为低电平,片选信号二(CE2)置为高电平,此时8个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据将被写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从器件读取数据时,将片选信号一(CE1(上划线))和输出使能信号(OE)置为低电平,写使能信号(WE)和片选信号二(CE2)置为高电平,在这些条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE1为高电平)或进行写操作(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻态。
商品特性
- 温度范围:汽车级E:-40°C至125°C
- 4.5V至5.5V工作电压
- 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现最佳速度/功耗比
- 低工作功耗137.5mW(最大值)(25mA)
- 低待机功耗137.5μW(最大值)(25μA)
- 未选中时自动掉电
- TTL兼容输入和输出
- 通过CE1(上划线)、CE2和OE(上划线)选项轻松实现存储器扩展
- 采用无铅32引脚(450密耳宽)小外形集成电路(SOIC)封装
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