CY62127DV30LL-70ZI
CY62127DV30LL-70ZI
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- 商品型号
- CY62127DV30LL-70ZI
- 商品编号
- C2956757
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 1.5uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62127DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低90%。当片选使能(CE)为高电平,或字节高位使能(BHE)和字节低位使能(BLE)均为高电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。当片选使能(CE)为高电平、输出使能(OE)为高电平、字节高位使能和字节低位使能均为高电平(BHE、BLE为高电平)或进行写操作(片选使能(CE)为低电平且写使能(WE)为低电平)时,输入/输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)处于高阻态。向器件写入数据时,将片选使能(CE)置为低电平,写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低位使能(BLE)为低电平,则将I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。如果字节高位使能(BHE)为低电平,则将I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将片选使能(CE)置为低电平,输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。如果字节低位使能(BLE)为低电平,则数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能(BHE)为低电平,则数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。
商品特性
- 超高速:55和70 ns
- 宽电压范围:2.2V至3.6V
- 引脚与CY62127BV兼容
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:在f = 1 MHz时为0.85 mA
- 典型工作电流:在f = fMAX时为5 mA
- 超低待机功耗
- 通过CE和OE功能轻松进行内存扩展
- 未选中时自动掉电
- 提供48球FBGA和44引脚TSOP II封装
应用领域
- 便携式应用
- 手机
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