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CY62127DV30LL-70ZI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62127DV30LL-70ZI

CY62127DV30LL-70ZI

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商品型号
CY62127DV30LL-70ZI
商品编号
C2956757
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压2.2V~3.6V
属性参数值
读写时间70ns
工作温度-40℃~+85℃
待机电流1.5uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62127DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低90%。当片选使能(CE)为高电平,或字节高位使能(BHE)和字节低位使能(BLE)均为高电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。当片选使能(CE)为高电平、输出使能(OE)为高电平、字节高位使能和字节低位使能均为高电平(BHE、BLE为高电平)或进行写操作(片选使能(CE)为低电平且写使能(WE)为低电平)时,输入/输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)处于高阻态。向器件写入数据时,将片选使能(CE)置为低电平,写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低位使能(BLE)为低电平,则将I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。如果字节高位使能(BHE)为低电平,则将I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将片选使能(CE)置为低电平,输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。如果字节低位使能(BLE)为低电平,则数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能(BHE)为低电平,则数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。

商品特性

  • 超高速:55和70 ns
  • 宽电压范围:2.2V至3.6V
  • 引脚与CY62127BV兼容
  • 超低工作功耗
  • 典型工作电流:在f = 1 MHz时为0.85 mA
  • 典型工作电流:在f = fMAX时为5 mA
  • 超低待机功耗
  • 通过CE和OE功能轻松进行内存扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 提供48球FBGA和44引脚TSOP II封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 手机

数据手册PDF