CY62127BVLL-70BKI

CY62127BV MoBL®是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换或未被选中（CE为高电平，或BLE和BHE均为高电平）时，可显著降低功耗。当未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。向器件写入数据时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则I/O引脚（I/O₁至I/O₈）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则I/O引脚（I/O₉至I/O₁₆）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。

• 高速：55 ns 和 70 ns
• 宽电压范围：2.7V 至 3.6V
• 低工作功耗：54 mW（最大）（15 mA）
• 低待机功耗（70 ns）— 54 μW（最大）（15 μA）
• 通过 CE 和 OE 功能轻松扩展存储器
• 取消选择时自动断电
• CMOS 技术实现速度与功耗平衡
• 封装可选 44 引脚 TSOP Type II（正向引脚排列）和 48 球 fBGA 封装

• 便携式应用
• 手机