CY7C199-20ZI

CY7C199是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32768字×8位。通过低电平有效的芯片使能（CE）、低电平有效的输出使能（OE）和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低81%。CY7C199采用标准的300密耳宽DIP、SOJ和LCC封装。低电平有效的写使能信号（WE）控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时，八个数据输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据将被写入由地址引脚（A₀至A₁₄）上的地址所指定的存储位置。读取器件时，选中器件并使能输出，CE和OE为低电平，而WE保持无效或高电平。在这些条件下，地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非芯片被选中、输出被使能且写使能（WE）为高电平，否则输入/输出引脚将保持高阻态。采用芯片涂层以提高抗α粒子能力。

• 高速 -10 ns
• 快速 t_DOE
• 低活动功率：467 mW（最大，12 ns “L” 版本）
• 低待机功率：0.275 mW（最大，“L” 版本）
• 2V 数据保持（仅“L”版本）
• 易于使用 CE 和 OE 功能进行存储器扩展
• TTL 兼容输入和输出
• 取消选择时自动断电