CY7C1360C-250AXCB
CY7C1360C-250AXCB
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- 商品型号
- CY7C1360C-250AXCB
- 商品编号
- C2958031
- 商品封装
- LQFP-100
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 9Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 2.8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 250mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1360C/CY7C1362C SRAM集成了256K×36和512K×18的SRAM单元,并带有先进的同步外围电路和一个用于内部突发操作的两比特计数器。所有同步输入均由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器门控。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线芯片使能(CE̅₁)、深度扩展芯片使能(CE₂和CE̅₃)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV)、写使能(BW̅ₓ和BWE)以及全局写(GW)。异步输入包括输出使能(OE)和ZZ引脚。地址和芯片使能在地址选通处理器(ADSP)或地址选通控制器(ADSC)有效时,于时钟上升沿被寄存。后续的突发地址可在前进引脚(ADV)的控制下内部生成。地址、数据输入和写控制在片上被寄存以启动自定时写周期。该器件支持字节写操作。写周期可为一到两个或四个字节宽,由字节写控制输入控制。当全局写(GW)有效为低电平时,会导致所有字节被写入。CY7C1360C/CY7C1362C采用+3.3伏核心电源供电,而所有输出可采用+2.5伏或+3.3伏电源供电。所有输入和输出均符合JEDEC标准JESD8-5。
商品特性
- 支持高达250兆赫兹的总线操作
- 提供250兆赫兹、200兆赫兹和166兆赫兹的速度等级
- 用于流水线操作的寄存输入和输出
- 3.3伏核心电源供电
- 2.5伏/3.3伏输入/输出操作
- 快速的时钟到输出时间,对于250兆赫兹器件为2.8纳秒
- 提供高性能的3-1-1-1访问速率
- 用户可选择的突发计数器,支持交错或线性突发序列
- 独立的处理器和控制器地址选通
- 同步自定时写操作
- 异步输出使能
- 单周期芯片取消选择
- 兼容IEEE 1149.1 JTAG边界扫描
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