CY62256LL-55SNIT
CY62256LL-55SNIT
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- 商品型号
- CY62256LL-55SNIT
- 商品编号
- C2958103
- 商品封装
- SOIC-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256 是一款高性能 CMOS 静态 RAM,组织为 32K 字 × 8 位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和输出使能(OE)以及三态驱动器,提供简便的内存扩展。该器件具有自动断电功能,在未选中时将功耗降低 99.9%。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的写/读操作。当 CE 和 WE 输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0 到 I/O7)上的数据被写入由地址引脚(A0 到 A14)上地址指定的存储位置。读取器件通过选中器件并启用输出(CE 和 OE 为低电平有效)完成,同时 WE 保持无效或高电平。在此条件下,由地址引脚信息寻址的位置内容出现在八个数据输入/输出引脚上。输入/输出引脚保持高阻抗状态,除非芯片被选中、输出被启用且写使能(WE)为高电平。
商品特性
- 高速:55 ns
- 温度范围:商业级:0°C 至 70°C;工业级:-40°C 至 85°C;汽车级:-40°C 至 125°C
- 电压范围:4.5V 至 5.5V
- 低活动功耗和待机功耗
- 通过 CE 和 OE 功能实现简便的内存扩展
- TTL 兼容的输入和输出
- 未选中时自动断电
- CMOS 技术实现优化的速度/功耗
- 提供无铅和非无铅标准的 28 引脚窄体 SOIC、28 引脚 TSOP-1、28 引脚反向 TSOP-1 和 28 引脚 DIP 封装
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