CY10E422L-7JCQ
CY10E422L-7JCQ
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- 商品型号
- CY10E422L-7JCQ
- 商品编号
- C2958164
- 商品封装
- LCC-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Kbit | |
| 工作电压 | 4.94V~5.46V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 7ns | |
| 工作温度 | 0℃~+75℃ | |
| 工作电流 | 150mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
赛普拉斯CY10E422和CY100E422是256 x 4 ECL随机存取存储器,专为暂存、控制和缓冲存储应用而设计。这两款产品均为全译码随机存取存储器,组织形式为1024字x 4位。CY10E422与10KH/10K兼容,CY100E422与100K兼容。四个独立的低电平有效块选(B上划线)输入控制存储器选择,并允许进行存储器扩展和重新配置。读写操作由低电平有效写使能(W上划线)输入的状态控制。开集电极输出允许进行线或连接,以扩展或重新配置存储器。
商品特性
- 256 x 4位结构
- 超高速/标准功耗(存取时间tAA = 3.5 ns,电源电流IEE = 220 mA)
- 低功耗版本(存取时间tAA = 5 ns,电源电流IEE = 150 mA)
- 兼容10KH/10K和100K的I/O版本
- 能够承受大于2001V的静电放电
- 片上电压补偿,提高噪声容限
- 开集电极输出,便于存储器扩展
- 行业标准引脚排列
应用领域
- 暂存应用
- 控制应用
- 缓冲存储应用
- CY10E422L-7DC
- CY10E422-7DC
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