CY14B104NA-ZS25X1

赛普拉斯CY14B104L/CY14B104N是一种快速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器组织为512K个8位字节或256K个16位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术，造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期，而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的量子阱单元中。在断电时，数据会自动从SRAM传输到非易失性元件（存储操作）。上电时，数据从非易失性存储器恢复到SRAM（恢复操作）。存储和恢复操作也可以在软件控制下进行。

• 访问时间为20 ns、25 ns和45 ns
• 内部组织为512K×8（CY14B104L）或256K×16（CY14B104N）
• 断电时仅需一个小电容即可自动存储数据
• 可通过软件、器件引脚或断电时的自动存储（AutoStore）功能将数据存储到量子阱非易失性元件中
• 可通过软件或上电将数据从非易失性元件恢复到SRAM
• 具有无限的读写和恢复周期
• 量子阱存储周期可达200,000次
• 数据保留时间为20年
• 单3V供电，电压范围为+20%至 -10%
• 适用于商业和工业温度范围
• 采用48球FBGA和44/54引脚TSOP II封装
• 无铅且符合RoHS标准