CY14B101I-SFXI

赛普拉斯CY14C101I/CY14B101I/CY14E101I在具有串行I²C接口的单片集成电路中，将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与功能齐全的实时时钟（RTC）相结合。该存储器组织为128 K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱技术，造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期，而量子阱单元则提供高度可靠的数据非易失性存储。在掉电时，数据会自动从SRAM传输到非易失性元件（存储操作）。上电时，数据会从非易失性存储器恢复到SRAM（恢复操作）。存储和恢复操作也可以由用户通过I²C命令启动。

• 1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
• 内部组织为128 K × 8
• 掉电时自动将数据存储到量子阱非易失性元件（自动存储），或使用I²C命令（软件存储）或HSB引脚（硬件存储）
• 上电时将数据恢复到SRAM（上电恢复），或通过I²C命令（软件恢复）
• 掉电时使用小电容自动存储
• 高可靠性
• 无限的读写和恢复周期
• 量子阱存储周期达100万次
• 数据保留：在85℃下20年
• 实时时钟（RTC）
• 功能齐全的RTC
• 看门狗定时器
• 可编程中断的时钟警报
• 备用电源故障指示
• 可编程频率的方波输出（1 Hz、512 Hz、4096 Hz、32.768 kHz）
• RTC电容或电池备份
• 典型备用电流0.45 μA
• 高速I²C接口
• 行业标准100 kHz和400 kHz速度
• 快速模式增强版：1 MHz速度
• 高速：3.4 MHz
• 零周期延迟读写
• 写保护
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
• 通过I²C访问特殊功能
• 非易失性存储/恢复
• 8字节序列号
• 制造商ID和产品ID
• 睡眠模式
• 低功耗
• 3.4 MHz工作时平均工作电流1 mA
• 平均待机模式电流250 ~ μA
• 睡眠模式电流8 μA
• 行业标准配置
• 工作电压：
• CY14C101I：VCC = 2.4 V至2.6 V
• CY14B101I：VCC = 2.7 V至3.6 V
• CY14E101I：VCC = 4.5 V至5.5 V
• 工业温度
• 16引脚小外形集成电路（SOIC）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准