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CY14B101I-SFXI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY14B101I-SFXI

CY14B101I-SFXI

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商品型号
CY14B101I-SFXI
商品编号
C2958154
商品封装
SOIC-16​
包装方式
管装
商品毛重
18.366667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录nvSRAM(掉电保持)
属性参数值
功能特性硬件写保护;软件块写保护;自动存储功能

商品概述

CY14C101I/CY14B101I/CY14E101I 将 1-Mbit nvSRAM 与全功能实时时钟集成在一个具有串行 I²C 接口的单片集成电路中。存储器组织为 128 K 字,每字 8 位。嵌入式非易失性元件采用 QuantumTrap 技术,实现可靠的非易失性存储。SRAM 提供无限的读写周期,而 QuantumTrap 单元提供高度可靠的非易失性数据存储。从 SRAM 到非易失性元件的数据传输(存储操作)在断电时自动进行。上电时,数据从非易失性存储器恢复到 SRAM(召回操作)。存储和召回操作也可以通过用户通过 I²C 命令启动。

商品特性

  • 1-Mbit 非易失性静态随机存取存储器 (nvSRAM)
  • 内部组织为 128K × 8
  • 通过断电自动(自动存储)或使用 I²C 命令(软件存储)或 HSB 引脚(硬件存储)启动到 QuantumTrap 非易失性元件的存储
  • 通过上电(上电召回)或 I²C 命令(软件召回)启动到 SRAM 的召回
  • 使用小电容在断电时自动存储
  • 高可靠性
  • 无限的读、写和召回周期
  • QuantumTrap 的 100 万次存储周期
  • 数据保留:在 85°C 下 20 年
  • 实时时钟 (RTC)
  • 全功能 RTC
  • 看门狗定时器
  • 带可编程中断的时钟报警
  • 备份电源失效指示
  • 可编程频率的方波输出(1 Hz、512 Hz、4096 Hz、32.768 kHz)
  • RTC 的电容或电池备份
  • 备份电流典型值为 0.45 μA
  • 高速 I²C 接口
  • 行业标准 100 kHz 和 400 kHz 速度
  • 快速模式 Plus:1 MHz 速度
  • 高速:3.4 MHz
  • 零周期延迟读写
  • 写保护
  • 使用写保护 (WP) 引脚的硬件保护
  • 用于 1/4、1/2 或整个阵列的软件块保护
  • I²C 访问特殊功能
  • 非易失性存储/召回
  • 8 字节序列号
  • 制造商 ID 和产品 ID
  • 睡眠模式
  • 低功耗
  • 在 3.4 MHz 操作下,平均工作电流为 1 mA
  • 平均待机模式电流为 250 μA
  • 睡眠模式电流为 8 μA
  • 行业标准配置
  • 工作电压:CY14C101I:VCC = 2.4 V ~ 2.6 V;CY14B101I:VCC = 2.7 V ~ 3.6 V;CY14E101I:VCC = 4.5 V ~ 5.5 V
  • 工业温度范围
  • 16 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
  • 符合有害物质限制 (RoHS)

数据手册PDF