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CY10E484L-7DCQ

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY10E484L-7DCQ
商品编号: C2958157
商品封装: CDIP-28
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

赛普拉斯CY101E484、CY10E484和CY100E484是4K x 4 ECL随机存取存储器，专为暂存、控制和缓冲存储应用而设计。这些器件是完全解码的随机存取存储器，组织形式为4K字x 4位。CY10E484与10KH/10K兼容。CY100E484与100K兼容，CY101E484在-5.2V电源下与100K兼容。低电平有效的片选（S上划线）输入控制存储器选择并允许进行存储器扩展。读写操作由低电平有效的写使能（W上划线）输入状态控制。当W上划线和S为低电平时，D(1 - 4)的数据被写入到寻址位置。要进行读取操作，W上划线保持高电平，而S上划线保持低电平。开放发射极输出允许进行线或连接以扩展存储器。4ns和5ns的器件采用28引脚陶瓷双列直插封装（cerDIP）、陶瓷无引线芯片载体封装（CLCC）和矩形陶瓷封装，采用高性能中心电源 - 接地版本的引脚配置。7ns和10ns的器件提供两个写使能（WE1上划线，WE2上划线）。

商品特性

4096 x 4位组织
超高速/标准功耗
AA时间（t_AA） = 4、5 ns
EE电流（I_EE） = 320 mA
低功耗版本
AA时间（t_AA） = 7、10 ns
EE电流（I_EE） = 200 mA
兼容10KH/10K和100K的I/O版本
片上电压补偿，提高噪声容限
能够承受大于2001V的静电放电（ESD）
开放发射极输出，便于存储器扩展
行业标准引脚排列

应用领域

暂存应用
控制应用
缓冲存储应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	16Kbit
	读写时间	7ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+75℃
	工作电流	200mA
	功能特性	-