CY62256VNLL-70ZIT
CY62256VNLL-70ZIT
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- 商品型号
- CY62256VNLL-70ZIT
- 商品编号
- C2958049
- 商品封装
- TSSOP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 30mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256VN系列由两个高性能CMOS静态RAM组成,组织形式为32K字×8位。通过低电平有效的片选信号(CE)、低电平有效的输出使能信号(OE)和三态驱动器可轻松实现内存扩展。这些器件具有自动掉电功能,在未被选中时可将功耗降低99%以上。低电平有效的写使能信号(WE)控制内存的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上的地址所指定的内存位置。读取器件时,通过选中器件并使能输出(CE和OE为低电平,WE保持无效或高电平)来完成。在这些条件下,地址引脚上的信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。
商品特性
- 温度范围:商用级0°C至70°C,工业级-40°C至85°C,汽车A级-40°C至85°C,汽车E级-40°C至125°C
- 速度:70纳秒
- 低电压范围:2.7伏至3.6伏
- 低工作功耗和待机功耗
- 通过片选和输出使能功能易于存储器扩展
- 兼容TTL的输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS工艺以实现优化的速度与功耗比
- 提供标准无铅和非无铅的28引脚窄体SOIC、28引脚TSOP-I和28引脚反向TSOP-I封装
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