CY14B256LA-ZS45XI
CY14B256LA-ZS45XI
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- 商品型号
- CY14B256LA-ZS45XI
- 商品编号
- C2958074
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能;存储完成标志;低电压自动写保护 |
商品概述
赛普拉斯CY14B256LA是一种快速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器组织为32K字节,每字节8位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱(QuantumTrap)技术,造就了可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期,而独立的非易失性数据则存于高度可靠的量子阱单元中。在断电时,数据会自动从SRAM传输到非易失性元件(存储操作)。上电时,数据会从非易失性存储器恢复到SRAM(恢复操作)。存储和恢复操作也可在软件控制下进行。
商品特性
- 存取时间为25 ns和45 ns
- 内部组织为32K x 8(CY14B256LA)
- 断电时只需一个小电容即可自动存储数据
- 可通过软件、设备引脚或断电时自动存储操作将数据存储到量子阱非易失性元件中
- 可通过软件或上电操作将数据从量子阱非易失性元件恢复到SRAM
- 具有无限的读写和恢复周期
- 可进行100万次量子阱存储操作
- 数据可保留20年
- 单3V供电(+20%至 -10%)
- 工业级温度范围
- 提供44引脚TSOP - II、48引脚SSOP和32引脚SOIC封装
- 无铅且符合RoHS标准
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