CY7C1355C-133AXIT
CY7C1355C-133AXIT
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- 商品型号
- CY7C1355C-133AXIT
- 商品编号
- C2958075
- 商品封装
- LQFP-100
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 9Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 6.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 250mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1355C/CY7C1357C是一款3.3V、256K x 36/512K x 18的同步直通突发静态随机存取存储器(SRAM),专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该器件配备先进的无总线延迟(NoBL)逻辑,可在每个时钟周期传输数据,实现连续的读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量,尤其在需要频繁进行写读转换的系统中表现出色。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当CEN信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为6.5 ns(133-MHz器件)。写操作由两个或四个字节写选择(BWX上划线)和一个写使能(WE)输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能(CE1上划线、CE2、CE3上划线)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用,在写序列的数据部分,输出驱动器同步进入三态。
商品特性
- 无总线延迟(NoBL™)架构消除了写周期和读周期之间的死周期
- 可支持高达133-MHz的总线操作,零等待状态,每个时钟周期传输数据
- 引脚与ZBT™器件兼容,功能等效
- 内部自定时输出缓冲控制,无需使用OE
- 用于直通操作的寄存器输入
- 字节写功能
- 3.3V/2.5V I/O电源(VDDQ)
- 快速时钟到输出时间(133-MHz器件为6.5 ns)
- 时钟使能(CEN)引脚,用于使能时钟和暂停操作
- 同步自定时写操作
- 异步输出使能
- 提供JEDEC标准和无铅100引脚TQFP、无铅和有铅119球BGA封装以及165球FBGA封装
- 三个芯片使能,便于进行简单的深度扩展
- 可使用ZZ模式或CE取消选择实现自动掉电功能
- 符合IEEE 1149.1 JTAG边界扫描标准
- 突发能力,支持线性或交错突发顺序
- 低待机功耗
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