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CY7C1355C-133AXIT引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1355C-133AXIT

CY7C1355C-133AXIT

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商品型号
CY7C1355C-133AXIT
商品编号
C2958075
商品封装
LQFP-100​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量9Mbit
工作电压3.135V~3.6V
读写时间6.5ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流250mA
待机电流40mA
功能特性自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能

商品概述

CY7C1355C/CY7C1357C是一款3.3V、256K x 36/512K x 18的同步直通突发静态随机存取存储器(SRAM),专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该器件配备先进的无总线延迟(NoBL)逻辑,可在每个时钟周期传输数据,实现连续的读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量,尤其在需要频繁进行写读转换的系统中表现出色。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当CEN信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为6.5 ns(133-MHz器件)。写操作由两个或四个字节写选择(BWX上划线)和一个写使能(WE)输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能(CE1上划线、CE2、CE3上划线)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用,在写序列的数据部分,输出驱动器同步进入三态。

商品特性

  • 无总线延迟(NoBL™)架构消除了写周期和读周期之间的死周期
  • 可支持高达133-MHz的总线操作,零等待状态,每个时钟周期传输数据
  • 引脚与ZBT™器件兼容,功能等效
  • 内部自定时输出缓冲控制,无需使用OE
  • 用于直通操作的寄存器输入
  • 字节写功能
  • 3.3V/2.5V I/O电源(VDDQ)
  • 快速时钟到输出时间(133-MHz器件为6.5 ns)
  • 时钟使能(CEN)引脚,用于使能时钟和暂停操作
  • 同步自定时写操作
  • 异步输出使能
  • 提供JEDEC标准和无铅100引脚TQFP、无铅和有铅119球BGA封装以及165球FBGA封装
  • 三个芯片使能,便于进行简单的深度扩展
  • 可使用ZZ模式或CE取消选择实现自动掉电功能
  • 符合IEEE 1149.1 JTAG边界扫描标准
  • 突发能力,支持线性或交错突发顺序
  • 低待机功耗

数据手册PDF