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CY27C256T-55ZI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY27C256T-55ZI

CY27C256T-55ZI

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商品型号
CY27C256T-55ZI
商品编号
C2958089
商品封装
TFSOP-32​
包装方式
管装
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录非易失性存储器(ROM)
属性参数值
功能特性-

商品概述

CY27C256是一款高性能的32768字×8位CMOS EPROM。当禁用(CE为高电平)时,CY27C256会自动进入低功耗待机模式。CY27C256采用行业标准的600密耳DIP、PLCC和TSOP封装。CY27C256也有配备擦除窗口的CerDIP封装,以实现可重编程性。当暴露在紫外线下时,EPROM会被擦除并可重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节级智能编程算法。CY27C256具有低功耗、卓越性能和高编程良率的优势。EPROM单元的超电压仅需12.5V,低电流要求允许进行批量编程。EPROM单元允许对每个存储位置进行100%测试,因为每个位置在封装前都会进行写入、擦除和反复操作。每个EPROM还会进行交流性能测试,以确保在客户编程后,产品能满足直流和交流规格限制。读取CY27C256时,需在OE和CE上施加有效低电平信号。地址线(A₀ - A₁₄)所寻址的存储位置的内容将在输出线(O₀ - O₇)上可用。

商品特性

  • 宽速度范围
  • 45 ns至200 ns(商用)
  • 低功耗
  • 248 mW(商用)
  • 低待机功耗
  • 未选中时小于83 mW
  • ±10%电源容差

数据手册PDF