- 引脚图
- 焊盘图
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CY7C263-35WM
CY7C263-35WM
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- 商品型号
- CY7C263-35WM
- 商品编号
- C2958735
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 非易失性存储器(ROM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
CY7C261、CY7C263和CY7C264是高性能8192字×8位CMOS PROM。当取消选择时，7C261自动进入低功耗待机模式。它采用300密耳宽封装。7C263和7C264分别采用300密耳宽和600密耳宽封装，取消选择时不会进入低功耗模式。可重编程封装配备擦除窗口；当暴露于紫外光时，这些PROM被擦除，然后可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。CY7C261、CY7C263和CY7C264是双极器件的直接替换品，具有更低功耗、更优性能和编程良率的优势。EPROM单元仅需12.5V超电压，低电流要求允许群编程。EPROM单元允许每个存储位置100%测试，因为每个位置在封装前被写入、擦除和反复操作。每个PROM还经过AC性能测试，以保证客户编程后产品满足DC和AC规格限制。读操作通过在CS上放置有效低信号实现。由地址线（A0 - A12）寻址的存储位置的内容将在输出线（O0 - O7）上可用。
商品特性
- 带窗口用于重编程
- 超低待机功耗（7C261）：取消选择时小于250mW
- 快速访问：20 ns
- EPROM技术100%可编程
- 可用 slim 300密耳或标准600密耳封装
- TTL兼容I/O
- 直接替换双极PROM