CY7C263-35WM

CY7C261、CY7C263和CY7C264是高性能的8192字×8位CMOS PROM。当未被选中时，7C261会自动进入低功耗待机模式，采用300密耳宽封装。7C263和7C264分别采用300密耳宽和600密耳宽封装，未被选中时不会进入低功耗模式。可重编程封装配备擦除窗口，暴露在紫外线下时，这些PROM会被擦除并可重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节级智能编程算法。CY7C261、CY7C263和CY7C264可直接替代双极型器件，具有低功耗、高性能和高编程良率的优势。EPROM单元只需12.5V超电压，低电流需求允许进行批量编程。每个存储单元在封装前都经过100%测试，包括写入、擦除和反复操作。每个PROM还进行交流性能测试，以确保客户编程后产品符合直流和交流规格限制。读取操作通过在CS引脚施加有效低电平信号完成。地址线(A0 - A12)寻址的存储单元内容将在输出线(O0 - O7)上可用。

• 采用CMOS技术，实现最佳速度/功耗比
• 配备窗口，可重编程
• 高速：商用20 ns
• 低功耗：商用660 mW
• 超低待机功耗（7C261）：未选中时小于250 mW
• 快速访问：20 ns
• EPROM技术，100%可编程
• 提供300密耳或标准600密耳封装
• VCC为5V ± 10%，适用于商用
• TTL兼容I/O
• 可直接替代双极型PROM