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DMN3016LDN-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.3A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3016LDN-7
- 商品编号
- C2958765
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
PT3416采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 6A
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 22mΩ
- ESD等级：人体模型（HBM）2000V
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品为无铅产品
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关