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DMP21D6UFD-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP21D6UFD-7

1个P沟道 耐压:20V 电流:600mA

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描述
新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP21D6UFD-7
商品编号
C2960365
商品封装
X1-DFN1212-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA
导通电阻(RDS(on))3Ω@1.5V
耗散功率(Pd)800mW
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)800pC@8V
输入电容(Ciss)46.1pF
反向传输电容(Crss)4.9pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)7.2pF

数据手册PDF