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DMTH8012LPSQ-13
1个N沟道 耐压:80V 电流:50A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：同步整流器、背光照明、电源管理功能、直流-直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH8012LPSQ-13
- 商品编号
- C2960358
- 商品封装
- TDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.051nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用独特的STripFET™工艺实现的这款功率MOSFET系列产品，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它非常适合作为电信和计算机应用中先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
~~- 通过AEC-Q101认证-低阈值驱动-栅极电荷最小化
应用领域
- 开关应用
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