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DMT8008LFG-7
1个N沟道 耐压:80V 电流:48A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT8008LFG-7
- 商品编号
- C2960360
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.254nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 防潮等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 漏源电压（VDS）100V
- 漏极电流（ID）25A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（在栅源电压（VGS）= 10V时）< 52 mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（在栅源电压（VGS）= 4.5V时）< 56 mΩ
- 100%进行EAS测试
- 100%进行△VDS测试
应用领域
- DC - DC转换器
- 电源管理功能
- 背光照明
注：原文中“mol/m³”和“mol/h”应该是“mΩ”（毫欧）的错误表述，已按照正确单位翻译。
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