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DMT8008LFG-7
1个N沟道 耐压:80V 电流:48A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT8008LFG-7
- 商品编号
- C2960360
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.254nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 防潮等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 出色的 Qgd x RDS(ON) 乘积(品质因数)
- 适用于DC-DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积,可实现更小的终端产品
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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