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DMN3030LFG-7
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:8.6A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通状态电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3030LFG-7
- 商品编号
- C2960348
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 751pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF |
商品特性
- 4A、650V，RDS(ON)最大值 = 2.4Ω（VGS = 10V/2A 时）
- 低栅极电荷
- 低输入电容（Ciss）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力