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DMP2160UFDBQ-7
2个P沟道 耐压:20V 电流:3.8A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2160UFDBQ-7
- 商品编号
- C2960352
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 536pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压VGS(TH)，最大-1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能