温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN6066SSS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6066SSS-13
- 商品编号
- C2960347
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 502pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.1pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 33 mΩ（典型值21 mΩ）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 39 mΩ（典型值25 mΩ）
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) ≤ 60 mΩ（典型值36 mΩ）
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关