CY14B512Q2-LHXI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY14B512Q2-LHXI
商品编号: C2958055
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	nvSRAM(掉电保持)

	属性	参数值
	功能特性	写使能锁存；软件块写保护；自动存储功能

商品概述

赛普拉斯CY14B512Q1/CY14B512Q2/CY14B512Q3将一个512 Kbit的非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元件相结合，并带有串行SPI接口。该存储器组织为64 K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱技术，创造了可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期，而量子阱单元则提供高度可靠的数据非易失性存储。数据从SRAM传输到非易失性元件（存储操作）在断电时自动进行（CY14B512Q1除外）。上电时，数据从非易失性存储器恢复到SRAM（恢复操作）。存储和恢复操作也可以由用户通过SPI指令启动。

商品特性

512 Kbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
内部组织为64 K × 8
断电时自动将数据存储到量子阱非易失性元件（自动存储），或用户可通过HSB引脚（硬件存储）或SPI指令（软件存储）进行存储
上电时将数据恢复到SRAM（上电恢复），或通过SPI指令（软件恢复）进行恢复
断电时使用小电容自动存储（CY14B512Q1除外）
高可靠性
无限的读写和恢复周期
量子阱存储周期达100万次
数据保留时间：20年
高速串行外设接口（SPI）
时钟速率40 MHz
支持SPI模式0 (0,0)和模式3 (1,1)
写保护
使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
低功耗
单3 V +20%， -10%工作
40 MHz工作时平均工作电流为10 mA
行业标准配置
工业温度范围
CY14B512Q1引脚配置与行业标准8引脚非易失性存储器相同
8引脚双扁平无引脚（DFN）封装和16引脚小外形集成电路（SOIC）封装
符合有害物质限制（RoHS）标准

数据手册PDF

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