CY7C09279V-7AC
CY7C09279V-7AC
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- 商品型号
- CY7C09279V-7AC
- 商品编号
- C2958043
- 商品封装
- LQFP-100
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 512Kbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 7.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 155mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C09269V/79V/89V和CY7C09369V/79V/89V是高速3.3V同步CMOS 16K、32K和64K x 16/18双端口静态随机存取存储器。提供两个端口,允许对存储器中的任何位置进行独立、同时的读写访问。控制、地址和数据线上的寄存器可实现最小的建立和保持时间。在流水线输出模式下,数据被寄存以减少周期时间。时钟到数据有效时间tCD2 = 6.5 ns(流水线模式)。直通模式也可用于绕过流水线输出寄存器以消除访问延迟。在直通模式下,地址被时钟输入到器件后tCD1 = 18 ns数据可用。通过FT/Pipe引脚选择流水线输出或直通模式。每个端口在输入地址寄存器上包含一个突发计数器。内部写脉冲宽度与时钟信号的低到高转换无关。内部写脉冲是自定时的,以实现尽可能短的周期时间。CE0上的高电平或CE1上的低电平持续一个时钟周期可使内部电路断电以降低静态功耗。使用多个芯片使能可更轻松地对多个芯片进行分组以实现深度扩展配置。在流水线模式下,需要一个周期使CE0为低电平且CE1为高电平以重新激活输出。提供计数器使能输入以暂停地址输入的操作,并使用内部计数器生成的内部地址用于快速交错存储应用。端口的突发计数器通过端口的地址选通(ADS)加载。当端口的计数使能(CNTEN)被置位时,地址计数器在该端口的时钟信号的每个低到高转换时递增。这将从每个连续的地址位置读取或写入一个字,直到CNTEN被复位。计数器可以寻址整个存储阵列并循环回到起始位置。计数器复位(CNTRST)用于复位突发计数器。所有部件均采用100引脚薄四方塑料扁平封装(TQFP)。
商品特性
- 真正的双端口存储单元,允许同时访问同一存储位置
- 六种流通过/流水线设备:16K x 16/18 结构、32K x 16/18 结构、64K x 16/18 结构
- 三种模式:流通过、流水线、突发
- 两个端口上的流水线输出模式允许快速100 MHz操作
- 高速时钟到数据访问:6.5, 7.5, 9, 12 ns(最大值)
- 3.3V低工作功耗:活动状态 = 115 mA(典型值);待机状态 = 10 μA(典型值)
- 完全同步接口,操作更简便
- 突发计数器内部递增地址:缩短周期时间;最小化总线噪声;在流通过和流水线模式中受支持
- 双芯片使能便于深度扩展
- 上下字节控制用于总线匹配
- 自动掉电
- 商业和工业温度范围
- 无铅100引脚TQFP封装可用
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